Hoechst33342/PI双染法和TUNEL染色技术检测神经细胞凋亡的对比研究

摘要：

目的：利用Hoechst33342/PI双染法和原位末端标记法(TUNEL染色检测纳米二氧化硅(nm-SiO2)对神经细胞凋亡的影响，比较两种检测方法的优缺点。方法：以体外培养的人神经母细胞瘤SK-N-SH为研究对象，15和30 nm粒径的nm-SiO2(剂量为2.5、5、10μg/mL)分别处理细胞24 h，另设1~5 m SiO2组和溶剂对照组，采用Hoechst33342/PI双染法和TUNEL染色检测各处理组对SK-N-SH细胞凋亡的影响。结果：与对照组相比，两种检测方法分析均显示了nm-SiO2处理组SK-N-SH细胞凋亡率显著增加(P<0.05)，且具有尺寸、剂量依赖性，而微米级SiO2对凋亡的影响不显著(P>0.05)。结论：nm-SiO2能诱导SK-N-SH细胞凋亡。Hoechst33342/PI双染法特异性高，简单易行；TUNEL法灵敏度高，能检测少量的细胞凋亡，但成本较高，两种方法可结合使用以便更加准确的检测神经细胞的凋亡。)μ

关键词：纳米二氧化硅、神经细胞、凋亡、Hoechst33342/PI双染、TUNEL

分类号：R318.08(医用一般科学)

资助基金：国家自然科学基金81102154；广东省医学科研基金资助项目B2012322；深圳市科学研究计划医疗卫生类201202086；深圳市重点实验室提升项目ZDSY20120615085804889

在线出版日期：2014-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：180-184