10.3969/j.issn.1004-616x.2011.05.001
喹烯酮诱导HepG2细胞DNA复制相关基因表达水平的变化
目的:喹烯酮能诱导HepG2细胞S期阻滞,引起DNA和染色体损伤.本研究旨在对喹烯酮致HepG2细胞S期阻滞机制进行筛选和分析.方法:本研究对喹烯酮染毒后HepG2细胞和未染毒HepG2细胞进行了Agilent全基因组的表达谱芯片检测,应用Genespring软件对差异表达的基因进行相关通路分析,并使用荧光定量PCR技术对部分DNA复制相关表达差异基因进行验证.结果:在芯片点样的41000个寡聚核苷酸片段中,喹烯酮染毒HepG2后,差异表达基因共1 750个,其中表达上调的基因共446个,表达下调的基因共1 304个.差异表达基因通路分析结果表明,与细胞周期、MAPK通路、DNA复制及DNA修复等通路相关的基因表达差异显著.经荧光定量PCR验证,DNA复制相关基因表达变化趋势与芯片检测结果相一致.结论:DNA复制相关基因的下降导致S期DNA复制的不完全性以及DNA损伤后引起的DNA修复,使得HepG2细胞在喹烯酮染毒后引起S期阻滞.基因表达谱芯片检测分析的结果为喹烯酮致HepG2细胞S期阻滞机制的深人研究奠定了基础.
喹烯酮、HepG2细胞、S期阻滞、表达谱基因芯片
23
R786;R114(口腔科学)
教育部博士点新教师基金20100008120003
2011-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
325-329